MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS MINI MOLD **Part UPA809T Manufacturer: NEC**  

### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Bipolar Transistor  
- **Maximum Collector-Base Voltage (VCBO):** 50V  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 50V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V  
- **Collector Current (IC):** 100mA  
- **Power Dissipation (PD):** 200mW  
- **Transition Frequency (fT):** 200MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package Type:** TO-92  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- High-speed switching capability.  
- Low noise performance.  
- Suitable for use in audio and RF circuits.  
- Compact TO-92 package for easy PCB mounting.  

(Note: Ensure to verify datasheet details for exact application-specific parameters.)