MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS MINI MOLD The part **UPA809T-T1** is manufactured by **NEC**. Below are the specifications, descriptions, and features based on available factual information:  

### **Manufacturer:** NEC  
### **Part Number:** UPA809T-T1  

#### **Specifications:**  
- **Type:** P-Channel MOSFET  
- **Voltage Rating (VDS):** -30V  
- **Current Rating (ID):** -8A  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 45mΩ (typical) at VGS = -10V  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Power Dissipation (PD):** 1.5W  
- **Package:** SOT-89 (TO-243)  

#### **Descriptions:**  
- The UPA809T-T1 is a P-Channel MOSFET designed for power management applications.  
- It is suitable for switching and amplification in low-voltage circuits.  

#### **Features:**  
- Low on-resistance for improved efficiency.  
- High-speed switching performance.  
- Compact SOT-89 package for space-saving designs.  
- Suitable for battery protection, load switching, and power supply circuits.  

This information is based on NEC's datasheet and technical documentation for the UPA809T-T1.