MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS SUPER MINI MOLD The part **UPA808T-T1** is manufactured by **NEC**. Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** NEC  
### **Specifications:**  
- **Type:** RF Transistor  
- **Application:** High-frequency amplification  
- **Package:** SOT-89 (Surface Mount)  
- **Polarity:** NPN  

### **Descriptions:**  
- Designed for use in RF amplification circuits.  
- Suitable for high-frequency applications.  

### **Features:**  
- High gain and low noise performance.  
- Optimized for stable operation in RF circuits.  
- Compact SOT-89 package for space-constrained designs.  

For exact electrical characteristics, refer to the NEC datasheet.