MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS SUPER MINI MOLD The part **UPA807T** is a **N-channel MOSFET** manufactured by **NEC**. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** NEC  
### **Part Number:** UPA807T  
### **Type:** N-channel MOSFET  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Drain Current (I_D):** 5A (continuous)  
- **Power Dissipation (P_D):** 1.5W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.05Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V (min) to 2.5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 300pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 100pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typ)  
- **Switching Speed:** Fast switching characteristics  

### **Package Type:**  
- **TO-252 (DPAK)** surface-mount package  

### **Features:**  
- Low on-resistance for high efficiency  
- Fast switching performance  
- Suitable for power management applications  
- Designed for use in DC-DC converters, motor control, and power switching circuits  

### **Applications:**  
- Power supply circuits  
- DC-DC converters  
- Motor drivers  
- Load switching  

This information is based on NEC's official datasheet for the UPA807T. For detailed electrical characteristics and performance curves, refer to the manufacturer's documentation.