MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS SUPER MINI MOLD The part **UPA807T-T1** is manufactured by **NEC**. Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
- **NEC**  

### **Specifications:**  
- **Type:** P-Channel MOSFET  
- **Voltage Rating (Drain-Source, VDS):** -30V  
- **Current Rating (Drain, ID):** -5.5A  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 60mΩ (at VGS = -10V)  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Power Dissipation (PD):** 1.5W  
- **Package:** SOT-89  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for power management applications.  
- Low on-resistance for efficient power handling.  
- Suitable for switching and amplification circuits.  
- Compact SOT-89 package for space-constrained designs.  

For exact application details, refer to the official NEC datasheet.