MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS MINI MOLD The **UPA806T-T1** is a P-channel MOSFET manufactured by **NEC**.  

### **Key Specifications:**  
- **Type:** P-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -5.5A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 60mΩ (max) at V_GS = -10V  
- **Package:** SOP-8  

### **Features:**  
- Low on-resistance  
- Fast switching speed  
- Suitable for power management applications  

This MOSFET is commonly used in power switching circuits, battery protection, and DC-DC converters.  

(Note: The manufacturer **NEC** may refer to **NEC Electronics Corporation**, now part of **Renesas Electronics**.)