NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS MINI MOLD The UPA803T-T1 is a PNP transistor manufactured by NEC. Here are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:** NEC  
### **Part Number:** UPA803T-T1  

### **Specifications:**  
- **Transistor Type:** PNP  
- **Maximum Collector-Base Voltage (V_CB):** -50V  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE):** -50V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EB):** -5V  
- **Collector Current (I_C):** -150mA  
- **Total Power Dissipation (P_tot):** 150mW  
- **Operating Junction Temperature (T_j):** 125°C  
- **DC Current Gain (h_FE):** 120 to 400 (at V_CE = -5V, I_C = -2mA)  
- **Transition Frequency (f_T):** 200MHz  

### **Features:**  
- High current gain (h_FE)  
- Low saturation voltage  
- High-speed switching capability  
- Compact surface-mount package (SOT-323)  

### **Applications:**  
- Amplification circuits  
- Switching circuits  
- Signal processing  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet.