HIGH-FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS MINI MOLD The UPA802T is a transistor manufactured by NEC. Below are the factual specifications, descriptions, and features from the available knowledge base:  

### **Manufacturer:** NEC  
### **Part Number:** UPA802T  

#### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor  
- **Application:** High-frequency amplification, RF applications  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 30V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 15V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 3V  
- **Collector Current (IC):** 50mA  
- **Total Power Dissipation (PT):** 300mW  
- **Transition Frequency (fT):** 1.5GHz (typical)  
- **Noise Figure (NF):** 3dB (typical at 1GHz)  
- **Gain (hFE):** 40–200 (at IC = 10mA, VCE = 6V)  

#### **Descriptions & Features:**  
- Designed for high-frequency amplification in RF circuits.  
- Low noise performance suitable for VHF/UHF applications.  
- Epitaxial planar construction ensures reliability and stability.  
- Commonly used in communication devices, amplifiers, and oscillators.  
- Available in a small surface-mount package (SOT-343 or similar).  

For exact pin configuration and additional details, refer to the NEC datasheet.