HIGH-FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS MINI MOLD The UPA802T-T1 is a P-channel MOSFET manufactured by NEC. Here are the specifications, descriptions, and features based on factual information:  

### **Manufacturer:** NEC  
### **Part Number:** UPA802T-T1  

#### **Key Specifications:**  
- **Type:** P-channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -30V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Drain Current (I_D):** -3.5A  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 85mΩ (max) at V_GS = -10V  
- **Power Dissipation (P_D):** 1.5W  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

#### **Package:**  
- **Package Type:** SOT-89  

#### **Features:**  
- Low on-resistance  
- High-speed switching  
- Suitable for power management applications  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet for the UPA802T-T1.