P-channel enhancement type MOS FET The **UPA653TT-E1** is a semiconductor device manufactured by **NEC**. Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
- **NEC** (Nippon Electric Company)  

### **Specifications:**  
- **Type:** Power amplifier or RF transistor (exact function depends on application).  
- **Package:** Likely a surface-mount or through-hole package (specific package type not confirmed).  
- **Application:** Used in RF (radio frequency) or power amplification circuits.  

### **Descriptions & Features:**  
- High-frequency performance (if an RF component).  
- Designed for reliability and efficiency in amplification tasks.  
- May include thermal protection or high gain characteristics (varies by exact model).  

For precise datasheet details (voltage, current, frequency range, etc.), refer to NEC's official documentation or authorized distributors.  

*(Note: If additional specifications are needed, consult NEC's product archives or datasheets.)*