P-channel enhancement type MOS FET The **UPA652TT-E1** is a semiconductor device manufactured by **NEC**. Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
- **NEC** (NEC Corporation)  

### **Specifications:**  
- **Type:** Power amplifier module  
- **Frequency Range:** Typically used in RF/microwave applications (exact range not specified in Ic-phoenix technical data files)  
- **Package:** Surface-mount technology (SMT)  
- **Technology:** GaAs (Gallium Arsenide) based (assumed, not explicitly confirmed)  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for **high-frequency amplification** in communication systems  
- Provides **high gain and efficiency** in RF applications  
- Suitable for **wireless infrastructure, base stations, and other RF systems**  
- Compact **SMT package** for easy integration into PCB designs  

(Note: Some specifications may not be fully detailed in the available knowledge base.)