### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor  
- **Application:** High-frequency amplification (VHF/UHF bands)  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 30V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 15V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 3V  
- **Collector Current (IC):** 50mA  
- **Total Power Dissipation (PT):** 300mW  
- **Transition Frequency (fT):** 1.5GHz (min)  
- **Noise Figure (NF):** 1.5dB (typical at 1GHz)  
- **Gain (hFE):** 20–200  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for **low-noise, high-gain amplification** in RF applications.  
- Suitable for **VHF/UHF oscillators and amplifiers**.  
- **Epitaxial planar construction** ensures high performance and reliability.  
- **Low collector saturation resistance** for efficient operation.  
- **Small signal amplification** with excellent high-frequency characteristics.  
- **Packaged in a TO-92 variant** for ease of use in circuit design.  

This transistor is commonly used in **communication equipment, RF amplifiers, and signal processing circuits**.