### **Specifications:**  
- **Type:** Dual NPN Transistor  
- **Package:** TO-220F (isolated type)  
- **Maximum Ratings:**  
  - Collector-Base Voltage (VCBO): 60V  
  - Collector-Emitter Voltage (VCEO): 60V  
  - Emitter-Base Voltage (VEBO): 5V  
  - Collector Current (IC): 2A  
  - Total Power Dissipation (PT): 20W  
- **Electrical Characteristics:**  
  - DC Current Gain (hFE): 1000 (min) at IC = 0.5A, VCE = 5V  
  - Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)): 0.5V (max) at IC = 1A, IB = 50mA  
  - Transition Frequency (fT): 100MHz (typ)  

### **Descriptions:**  
- The UPA602T is a high-gain, low-saturation dual NPN transistor in an isolated TO-220F package.  
- Designed for general-purpose amplification and switching applications.  

### **Features:**  
- High current gain (hFE ≥ 1000)  
- Low saturation voltage (VCE(sat) ≤ 0.5V)  
- Isolated package for improved thermal performance  
- Suitable for driver stages and power switching circuits  

(Note: Always verify datasheet details for precise application requirements.)