Nch enhancement-type MOS FET (On-chip schottky barrier diode(SBD)) The **UPA508TE-T1** is a P-channel MOSFET manufactured by **NEC**. Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** NEC  
### **Specifications:**  
- **Type:** P-Channel MOSFET  
- **Package:** SOT-523 (SC-89)  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -20V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±8V  
- **Drain Current (I_D):** -1.3A  
- **Power Dissipation (P_D):** 0.2W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.45Ω (max) at V_GS = -4.5V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -0.4V to -1.5V  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for **low-voltage, high-speed switching** applications.  
- **Compact SOT-523 package**, suitable for space-constrained designs.  
- **Low on-resistance** for efficient power management.  
- Suitable for **portable devices, power management circuits, and load switching**.  

This information is based on NEC's official datasheet for the **UPA508TE-T1**.