**Specifications:**  
- **Type:** Dual N-channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (Vdss):** 30V  
- **Continuous Drain Current (Id):** 10A  
- **Power Dissipation (Pd):** 2W  
- **Gate-Source Voltage (Vgs):** ±20V  
- **On-Resistance (Rds(on)):** 0.035Ω (max)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 800pF (typ)  
- **Package:** SOP-8  

**Descriptions and Features:**  
- High-speed switching performance  
- Low on-resistance for efficient power handling  
- Built-in gate protection diode  
- Suitable for power management applications  
- RoHS compliant