### **Specifications:**  
- **Type:** Dual P-Channel MOSFET  
- **Voltage (Drain-Source, VDS):** -20V  
- **Current (Drain, ID):** -4.5A  
- **Power Dissipation (PD):** 1W  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.12Ω (max)  
- **Gate Threshold Voltage (VGS(th)):** -0.4V to -1.5V  
- **Input Capacitance (Ciss):** 190pF (typical)  
- **Package:** SOP-8  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for high-efficiency power switching applications.  
- Low on-resistance for reduced power loss.  
- Suitable for load switching and power management circuits.  
- E2 suffix indicates RoHS compliance.  

For exact datasheet details, refer to the official NEC documentation.