### **Key Specifications:**  
- **Configuration:** Dual N-Channel  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 6.5A (per MOSFET)  
- **On-Resistance (R_{DS(on)  - 45mΩ (max) at VGS = 10V  
  - 55mΩ (max) at VGS = 4.5V  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Power Dissipation (PD):** 2W (per MOSFET)  
- **Package:** SOP-8 (Small Outline Package)}  

### **Features:**  
- Low on-resistance for high efficiency  
- Fast switching performance  
- Compact SOP-8 package for space-saving designs  
- Suitable for power management applications  

### **Applications:**  
- DC-DC converters  
- Power switches  
- Motor drivers  
- Load switches  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed performance characteristics, refer to Renesas Electronics' official documentation.