### **Specifications:**
1. **Manufacturer:** NEC  
2. **Part Number:** UPA2701GR-E1  
3. **Type:** RF Transistor  
4. **Technology:** GaAs HBT (Gallium Arsenide Heterojunction Bipolar Transistor)  
5. **Frequency Range:** Up to 2.5 GHz  
6. **Application:** Power Amplifier for Wireless Communication  
7. **Package:** SOT-89 (Surface-Mount)  
8. **Operating Voltage:** Typically 3.6V  
9. **Output Power:** High power gain for RF amplification  

### **Descriptions:**
- The **UPA2701GR-E1** is a high-frequency RF transistor designed for power amplification in wireless communication systems.  
- It is optimized for applications such as mobile phones, wireless LAN, and other RF communication devices.  
- The GaAs HBT technology ensures high efficiency and linearity in signal amplification.  

### **Features:**
- **High Power Gain:** Suitable for boosting RF signals in communication circuits.  
- **Low Distortion:** Provides clean signal amplification for improved transmission quality.  
- **Compact SOT-89 Package:** Ideal for space-constrained PCB designs.  
- **Wide Frequency Coverage:** Effective up to 2.5 GHz, making it versatile for various wireless standards.  
- **Optimized for 3.6V Operation:** Designed for compatibility with common wireless device power supplies.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.