Nch enhancement-type MOS FET The part **UPA2700** is manufactured by **NEC**. Below are its specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Type:** Dual N-Channel MOS FET Array  
- **Maximum Drain-Source Voltage (V_DSS):** 50V  
- **Maximum Gate-Source Voltage (V_GSS):** ±20V  
- **Drain Current (I_D):** 0.5A (per channel)  
- **Power Dissipation (P_D):** 1.0W (total for both channels)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 5Ω (max) at V_GS = 10V, I_D = 0.1A  
- **Input Capacitance (C_iss):** 15pF (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The **UPA2700** is a dual N-channel enhancement-mode MOS FET array in a compact package. It is designed for low-power switching applications, offering high-speed performance and low on-resistance.  

### **Features:**  
- **Dual N-Channel MOSFETs** in a single package  
- **Low threshold voltage** for compatibility with low-voltage logic  
- **High-speed switching** capability  
- **Compact and space-saving** design  
- **Suitable for small-signal amplification and switching**  

For detailed electrical characteristics and application notes, refer to the official NEC datasheet.