N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING **Part Number:** UPA2451BTL  
**Manufacturer:** NEC  
### **Specifications:**  
- **Type:** Low-Saturation Voltage Bipolar Transistor  
- **Package:** SOT-89 (Mini Mold)  
- **Polarity:** PNP  
- **Maximum Ratings:**  
  - Collector-Base Voltage (VCBO): -50V  
  - Collector-Emitter Voltage (VCEO): -50V  
  - Emitter-Base Voltage (VEBO): -5V  
  - Collector Current (IC): -1A  
  - Collector Power Dissipation (PC): 1W (Ta=25°C)  
  - Junction Temperature (Tj): 150°C  
  - Storage Temperature (Tstg): -55°C to +150°C  
- **Electrical Characteristics (Ta=25°C):**  
  - Collector Cut-off Current (ICBO): -1µA (VCB=-50V)  
  - DC Current Gain (hFE): 120 to 400 (IC=-0.1A, VCE=-5V)  
  - Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)): -0.25V (IC=-0.5A, IB=-10mA)  
### **Descriptions and Features:**  
- Designed for low saturation voltage applications.  
- High current gain (hFE) for efficient switching.  
- Compact SOT-89 package suitable for space-constrained designs.  
- Suitable for power management and switching circuits.  
- RoHS compliant.  
(Source: NEC Datasheet)