- **Type:** RF Transistor  
- **Application:** High-frequency amplification in RF circuits  
- **Material:** Silicon (Si)  
- **Package:** TO-220  
- **Polarity:** NPN  
- **Maximum Collector-Base Voltage (Vcb):** 40V  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (Vce):** 30V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (Veb):** 5V  
- **Maximum Collector Current (Ic):** 1A  
- **Power Dissipation (Pd):** 20W  
- **Transition Frequency (fT):** 1.5GHz  
- **Noise Figure (NF):** Low noise performance  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

**Features:**  
- High transition frequency for RF applications  
- Low noise figure suitable for amplification stages  
- Robust TO-220 package for heat dissipation  
- Suitable for VHF/UHF applications  

**Descriptions:**  
The UPA2450TL is an NPN RF transistor designed for high-frequency amplification, commonly used in RF circuits, communication equipment, and signal processing applications. Its high transition frequency and low noise characteristics make it ideal for RF front-end stages.  

(Note: Specifications are based on available data; verify with official NEC documentation for exact details.)