- **Manufacturer:** NEC (NEC Corporation)  
- **Part Number:** UPA2002  
- **Type:** RF Transistor  
- **Category:** Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Application:** High-frequency amplification, RF applications  
- **Package:** TO-92 (plastic-encapsulated through-hole package)  
- **Polarity:** NPN  
- **Maximum Ratings:**  
  - Collector-Base Voltage (VCBO): 30V  
  - Collector-Emitter Voltage (VCEO): 20V  
  - Emitter-Base Voltage (VEBO): 3V  
  - Collector Current (IC): 50mA  
  - Power Dissipation (PD): 300mW  
- **Electrical Characteristics:**  
  - Transition Frequency (fT): 1.5GHz (typical)  
  - Noise Figure (NF): Low noise characteristics  
  - DC Current Gain (hFE): 40 to 200 (depending on operating conditions)  
- **Features:**  
  - High-frequency performance suitable for RF amplification  
  - Low noise figure for sensitive signal processing  
  - Compact TO-92 package for easy integration  
  - Suitable for small-signal amplification in communication circuits  

This information is based on NEC's documented specifications for the UPA2002 transistor.