Silicon transistor array The **UPA2001C** is a semiconductor component manufactured by **NEC**. Below are its specifications, descriptions, and features based on available factual information:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** NEC  
- **Type:** RF Power Transistor  
- **Material:** Silicon (Si)  
- **Package:** TO-220  
- **Polarity:** NPN  
- **Maximum Power Dissipation (Pd):** 30W  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 60V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 40V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V  
- **Collector Current (IC):** 2A  
- **Transition Frequency (fT):** 200MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
The **UPA2001C** is an NPN silicon RF power transistor designed for high-frequency amplification applications. It is commonly used in RF power amplifiers, transmitters, and other communication circuits due to its high transition frequency and power handling capability.  

### **Features:**  
- High power dissipation capability (30W)  
- Suitable for RF amplification in the VHF/UHF range  
- TO-220 package for efficient heat dissipation  
- Robust construction for reliable performance  
- Designed for linear and switching applications  

This information is based on NEC's documentation and standard specifications for the **UPA2001C** transistor.