P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING The part **UPA1952TE** is manufactured by **NEC** (now part of **Renesas Electronics Corporation**). Below are the specifications, descriptions, and features based on available data:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** NEC (Renesas Electronics)  
- **Type:** Dual N-Channel MOSFET  
- **Package:** SOP-8 (Small Outline Package)  
- **Voltage Rating:**  
  - **Drain-Source Voltage (VDS):** 30V  
  - **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Current Rating:**  
  - **Continuous Drain Current (ID):** 6A  
  - **Pulsed Drain Current (IDM):** 24A  
- **Power Dissipation (PD):** 2W  
- **On-Resistance (RDS(on)):**  
  - **Max @ VGS = 10V:** 0.035Ω  
  - **Max @ VGS = 4.5V:** 0.045Ω  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 1.0V (min) – 2.5V (max)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 600pF (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions & Features:**
- **Dual N-Channel MOSFET:** Contains two independent N-channel MOSFETs in a single package.  
- **Low On-Resistance:** Provides efficient power switching with minimal conduction losses.  
- **High-Speed Switching:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Logic-Level Compatible:** Can be driven by low-voltage control signals (4.5V or higher).  
- **Applications:** Used in power management, DC-DC converters, motor drivers, and load switching circuits.  
- **RoHS Compliant:** Meets environmental standards for lead-free manufacturing.  

This information is based on NEC's documentation before its merger with Renesas. For the latest datasheets, refer to **Renesas Electronics Corporation**.