Pch enhancement type MOS FET **Manufacturer:** NEC  

**Part Number:** UPA1919TE-T1  

**Specifications:**  
- **Type:** Dual N-Channel MOSFET  
- **Voltage Rating (VDS):** 30V  
- **Current Rating (ID):** 6A (per channel)  
- **Power Dissipation (PD):** 2W (per channel)  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 50mΩ (max) at VGS = 10V  
- **Gate Threshold Voltage (VGS(th)):** 1.0V (min) to 2.5V (max)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 300pF (typ)  
- **Package:** SOP-8 (Small Outline Package)  

**Features:**  
- Low on-resistance  
- High-speed switching  
- Dual N-channel configuration  
- Suitable for power management applications  
- Lead-free and RoHS compliant  

**Applications:**  
- Power supply circuits  
- DC-DC converters  
- Motor control  
- Load switching  

(Note: Always verify datasheet details for exact specifications.)

Pch enhancement type MOS FET The part **UPA1919TE-T1** is manufactured by **NEC**. Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** NEC  
- **Part Number:** UPA1919TE-T1  
- **Type:** Dual P-Channel MOSFET  
- **Package:** SOP-8  
- **Voltage Rating (Vds):** -30V  
- **Current Rating (Id):** -5.5A  
- **Power Dissipation (Pd):** 2W  
- **On-Resistance (Rds(on)):** 70mΩ (max) at Vgs = -10V  
- **Gate Threshold Voltage (Vth):** -1.0V (max)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**
- A high-performance dual P-Channel MOSFET designed for power management applications.  
- Suitable for switching and amplification in low-voltage circuits.  

### **Features:**
- Low on-resistance for reduced power loss.  
- Fast switching performance.  
- Compact SOP-8 package for space-saving designs.  
- RoHS compliant.  

This information is strictly based on the available specifications and does not include any additional recommendations.