P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING Part Number: **UPA1918TE**  
Manufacturer: **NEC**  
### **Specifications:**  
- **Type:** High-speed switching transistor array  
- **Configuration:** Dual NPN transistor array  
- **Package:** SSOP (Shrink Small Outline Package)  
- **Maximum Collector-Base Voltage (VCB):** 50V  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (VCE):** 50V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (VEB):** 5V  
- **Collector Current (IC):** 100mA (per transistor)  
- **Total Power Dissipation (Ptot):** 500mW  
- **Transition Frequency (fT):** 200MHz  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +85°C  
### **Descriptions & Features:**  
- Designed for high-speed switching applications.  
- Contains two independent NPN transistors in a single package.  
- Low saturation voltage for efficient switching.  
- Suitable for interface circuits, driver circuits, and logic level conversion.  
- Compact SSOP package for space-saving PCB designs.  
(Source: NEC datasheet for UPA1918TE)