### **Specifications:**  
- **Type:** Transistor (Bipolar Junction Transistor - BJT)  
- **Polarity:** NPN  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (Vceo):** 30V  
- **Maximum Collector Current (Ic):** 500mA  
- **Power Dissipation (Pd):** 625mW  
- **DC Current Gain (hFE):** 120 to 390 (depending on operating conditions)  
- **Transition Frequency (fT):** 250MHz (typical)  
- **Package Type:** TO-92 (through-hole package)  

### **Descriptions:**  
- A general-purpose NPN bipolar junction transistor (BJT) designed for amplification and switching applications.  
- Suitable for low-power circuits, signal amplification, and driver stages.  
- Compact TO-92 package for easy PCB mounting.  

### **Features:**  
- High current gain (hFE) for improved signal amplification.  
- Low saturation voltage for efficient switching.  
- Wide operating temperature range.  
- RoHS compliant (lead-free).  

For exact datasheet details, refer to Panasonic's official documentation.