Power management (dual transistors) The UMZ2N TR is a transistor manufactured by ROHM. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** ROHM  
- **Part Number:** UMZ2N TR  
- **Type:** NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package:** SOT-323 (SC-70)  
- **Collector-Base Voltage (V_CB):** 50V  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 50V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB):** 5V  
- **Collector Current (I_C):** 100mA  
- **Power Dissipation (P_D):** 150mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 120 to 400 (at I_C = 2mA, V_CE = 5V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 250MHz (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The UMZ2N TR is a small-signal NPN transistor designed for amplification and switching applications.  
- It is housed in a compact SOT-323 package, making it suitable for space-constrained designs.  

### **Features:**  
- High current gain (h_FE) for improved signal amplification.  
- Low saturation voltage for efficient switching.  
- High transition frequency (f_T) for high-speed applications.  
- Compact SOT-323 package for PCB space savings.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.