General purpose transistors (dual transistors) Here are the factual details about the **UMX1N TN** manufactured by **ROHM** based on Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** ROHM  
- **Part Number:** UMX1N TN  
- **Type:** N-channel MOSFET  
- **Package:** SOT-363 (UMT6)  
- **Maximum Drain-Source Voltage (V_DS):** 20V  
- **Maximum Gate-Source Voltage (V_GS):** ±8V  
- **Drain Current (I_D):** 1.0A  
- **Power Dissipation (P_D):** 300mW  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.6Ω (max) @ V_GS = 4.5V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 0.4V (min) / 1.5V (max)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**
- The **UMX1N TN** is a small-signal N-channel MOSFET designed for low-voltage, high-efficiency switching applications.  
- It is housed in a compact **SOT-363 (UMT6)** package, making it suitable for space-constrained designs.  

### **Features:**
- **Low On-Resistance:** Ensures minimal power loss in switching applications.  
- **High-Speed Switching:** Optimized for fast switching performance.  
- **Compact Package:** SOT-363 (UMT6) footprint saves PCB space.  
- **Low Threshold Voltage:** Enables operation with low gate drive voltage.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and specifications.