General purpose (dual transistors) The part UMT2N is manufactured by ROHM. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** ROHM  
- **Part Number:** UMT2N  
- **Type:** NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package:** SOT-323 (SC-70)  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 50V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 50V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V  
- **Collector Current (IC):** 100mA  
- **Power Dissipation (PD):** 150mW  
- **DC Current Gain (hFE):** 100 to 400  
- **Transition Frequency (fT):** 250MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The UMT2N is a high-voltage NPN transistor in a compact SOT-323 package.  
- It is designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- Suitable for low-power, high-frequency circuits.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** Supports up to 50V (VCEO).  
- **Low Saturation Voltage:** Ensures efficient switching performance.  
- **High Current Gain (hFE):** Provides good amplification characteristics.  
- **Compact Package:** SOT-323 (SC-70) for space-constrained designs.  
- **Wide Operating Temperature Range:** Reliable performance in various environments.  

This information is based solely on the available knowledge base for the UMT2N transistor by ROHM.