### **Specifications:**
- **Manufacturer:** ROHM  
- **Part Number:** UMT2907A T106  
- **Type:** PNP Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package:** SOT-323 (SC-70)  
- **Collector-Base Voltage (V_CB):** -60V  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE):** -60V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB):** -5V  
- **Collector Current (I_C):** -600mA  
- **Power Dissipation (P_D):** 150mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 100 (min) @ I_C = -150mA, V_CE = -1V  
- **Transition Frequency (f_T):** 200MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions and Features:**  
- **High Voltage PNP Transistor:** Suitable for switching and amplification applications.  
- **Compact SOT-323 Package:** Ideal for space-constrained designs.  
- **High Current Capability:** Supports up to -600mA collector current.  
- **Low Saturation Voltage:** Ensures efficient switching performance.  
- **High DC Current Gain (h_FE):** Provides good amplification characteristics.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This information is based on ROHM's official datasheet for the **UMT2907A T106**.

**Specifications:**  
- **Type:** P-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** -30V  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Drain Current (ID):** -4.3A  
- **Power Dissipation (PD):** 1.25W  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.085Ω (max) @ VGS = -10V, ID = -3.1A  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** -1V to -3V  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** SOT-23 (Surface Mount)  

**Descriptions and Features:**  
- Designed for low-voltage, high-speed switching applications.  
- Low on-resistance for improved efficiency.  
- Suitable for power management in portable electronics, battery protection, and load switching.  
- RoHS compliant.  

(Note: Always verify with the latest datasheet for accuracy.)