Switching diode The UMP1N is a P-channel MOSFET manufactured by ROHM Semiconductor. Below are the specifications, descriptions, and features based on the available knowledge:

### **Specifications:**  
- **Type:** P-channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -30V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Drain Current (I_D):** -1.5A  
- **Power Dissipation (P_D):** 1W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.5Ω (max) @ V_GS = -10V, I_D = -1.5A  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1.0V to -3.0V  
- **Package:** SOT-23 (Miniature surface-mount package)  

### **Descriptions:**  
The UMP1N is a compact P-channel MOSFET designed for low-voltage switching applications. It is suitable for power management, load switching, and battery protection circuits due to its low on-resistance and small form factor.  

### **Features:**  
- Low on-resistance for efficient power handling  
- Compact SOT-23 package for space-saving designs  
- Suitable for portable and battery-operated devices  
- Fast switching performance  

For detailed electrical characteristics and application notes, refer to the official ROHM datasheet.