### **Specifications:**
1. **Part Number:** UMN10N  
2. **Manufacturer:** ROHM Semiconductor  
3. **Type:** N-channel MOSFET  
4. **Drain-Source Voltage (VDS):** 100V  
5. **Drain Current (ID):** 10A  
6. **Power Dissipation (PD):** 30W  
7. **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
8. **On-Resistance (RDS(on)):** 0.1Ω (typical)  
9. **Threshold Voltage (VGS(th)):** 2.0V (typical)  
10. **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions:**
- The **UMN10N** is a power MOSFET designed for high-efficiency switching applications.  
- It is optimized for low on-resistance and fast switching performance.  
- Suitable for power management, DC-DC converters, and motor control applications.  

### **Features:**
- **Low On-Resistance:** Ensures minimal power loss.  
- **High-Speed Switching:** Improves efficiency in switching circuits.  
- **Avalanche Energy Specified:** Enhances reliability in rugged conditions.  
- **Low Gate Charge:** Reduces driving power requirements.  
- **Pb-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

For exact performance characteristics, refer to the official **ROHM datasheet** for **UMN10N**.