### **Specifications:**  
- **Type:** N-channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Drain Current (I_D):** 10A  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.055Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 30W  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions:**  
The UMN10-N is an N-channel MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It offers low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for power management in various electronic circuits.  

### **Features:**  
- Low on-resistance for reduced power loss  
- Fast switching speed  
- High reliability and ruggedness  
- Suitable for DC-DC converters, motor control, and power switching applications  
- Lead-free and RoHS compliant  

This information is based on ROHM's official datasheet for the UMN10-N MOSFET.