NPN 100mA 50V Complex Digital Transistors Here are the factual details about part **UMH9NTN** from the manufacturer **ROHM**:
### **Specifications:**  
- **Type:** N-channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 9A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 36A  
- **Power Dissipation (PD):** 30W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 45mΩ (max) at VGS = 10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 1.0V (min) – 2.5V (max)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 1000pF (typ)  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  
### **Descriptions:**  
- Designed for high-efficiency switching applications.  
- Low on-resistance for reduced power loss.  
- Suitable for power management in automotive, industrial, and consumer electronics.  
### **Features:**  
- **Low RDS(on):** Enhances efficiency in power switching.  
- **Fast Switching Speed:** Improves performance in high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Ensures robustness in harsh conditions.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  
For exact datasheet details, refer to ROHM’s official documentation.