NPN 100mA 50V Complex Digital Transistors Here are the factual details about part **UMH9 N TN** from manufacturer **ROHM** based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Part Number:** UMH9 N TN  
- **Manufacturer:** ROHM  
- **Type:** NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package:** SOT-363 (SC-88)  
- **Maximum Ratings:**  
  - Collector-Base Voltage (VCBO): 50V  
  - Collector-Emitter Voltage (VCEO): 50V  
  - Emitter-Base Voltage (VEBO): 5V  
  - Collector Current (IC): 100mA  
  - Power Dissipation (PD): 150mW  
- **Electrical Characteristics:**  
  - DC Current Gain (hFE): 120 to 400 (at IC = 2mA, VCE = 5V)  
  - Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)): 0.2V (max) (at IC = 10mA, IB = 1mA)  
  - Transition Frequency (fT): 250MHz (typ)  

### **Descriptions and Features:**  
- **Description:** The UMH9 N TN is a high-speed switching NPN transistor designed for low-power amplification and switching applications.  
- **Features:**  
  - High current gain (hFE)  
  - Low saturation voltage  
  - High-speed switching capability  
  - Compact SOT-363 package for space-saving designs  

This information is strictly based on the provided knowledge base. Let me know if you need further details.