General purpose (dual digital transistors) Here are the factual details about part **UMH7N** from manufacturer **ROHM** based on available specifications, descriptions, and features:  

### **Specifications:**  
- **Part Number:** UMH7N  
- **Manufacturer:** ROHM Semiconductor  
- **Type:** NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package:** SOT-323 (SC-70)  
- **Maximum Ratings:**  
  - **Collector-Base Voltage (VCBO):** 50V  
  - **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 50V  
  - **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V  
  - **Collector Current (IC):** 100mA  
  - **Power Dissipation (PD):** 200mW  
- **Electrical Characteristics:**  
  - **DC Current Gain (hFE):** 100–400 (at IC = 2mA, VCE = 5V)  
  - **Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)):** 0.3V (max) (at IC = 50mA, IB = 5mA)  
  - **Transition Frequency (fT):** 250MHz (typical)  

### **Descriptions:**  
- The UMH7N is a high-voltage NPN transistor designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- It is housed in a compact **SOT-323** package, making it suitable for space-constrained designs.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability** (up to 50V VCEO)  
- **Low Saturation Voltage** for efficient switching.  
- **High Current Gain (hFE)** for improved signal amplification.  
- **Compact SMD Package** (SOT-323) for PCB space savings.  

For exact performance curves or additional parameters, refer to ROHM’s official datasheet.