General purpose (dual digital transistors) The part **UMH6N** is manufactured by **ROHM**. Below are the specifications, descriptions, and features based on available factual information:  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-channel MOSFET  
- **Package:** SOT-23-3 (Miniature surface-mount package)  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 0.5A  
- **Power Dissipation (P_D):** 0.5W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 6Ω (typical at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.5V (typical)  

### **Description:**  
The **UMH6N** is a small-signal N-channel MOSFET designed for low-power switching applications. It is suitable for use in portable devices, power management circuits, and other applications requiring efficient switching performance in a compact package.  

### **Features:**  
- **Low on-resistance** for reduced power loss  
- **Compact SOT-23-3 package** for space-saving designs  
- **High-speed switching** performance  
- **Low threshold voltage** for compatibility with low-voltage control signals  

This information is based on ROHM's official documentation for the UMH6N MOSFET. For detailed application notes or reliability data, refer to the manufacturer's datasheet.