General purpose (dual digital transistors) The part **UMH6N** is manufactured by **ROHM**. Below are the specifications, descriptions, and features based on available factual information:  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-channel MOSFET  
- **Package:** SOT-23-3 (Miniature surface-mount package)  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 0.5A  
- **Power Dissipation (P_D):** 0.5W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 6Ω (typical at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.5V (typical)  

### **Description:**  
The **UMH6N** is a small-signal N-channel MOSFET designed for low-power switching applications. It is suitable for use in portable devices, power management circuits, and other applications requiring efficient switching performance in a compact package.  

### **Features:**  
- **Low on-resistance** for reduced power loss  
- **Compact SOT-23-3 package** for space-saving designs  
- **High-speed switching** performance  
- **Low threshold voltage** for compatibility with low-voltage control signals  

This information is based on ROHM's official documentation for the UMH6N MOSFET. For detailed application notes or reliability data, refer to the manufacturer's datasheet.

General purpose (dual digital transistors)