General purpose (dual digital transistors) The part UMH4N is manufactured by ROHM Semiconductor. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Part Number:** UMH4N  
- **Manufacturer:** ROHM  
- **Type:** N-channel MOSFET  
- **Package:** SOT-23  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Gate-Source Voltage (V_GSS):** ±20V  
- **Drain Current (I_D):** 1.2A  
- **Power Dissipation (P_D):** 500mW  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 100mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 0.8V (min) – 2.0V (max)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**
- The UMH4N is a small-signal N-channel MOSFET designed for low-voltage, high-speed switching applications.  
- It is suitable for use in portable devices, power management circuits, and load switching.  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for efficient power handling.  
- Compact SOT-23 package for space-constrained applications.  
- Fast switching performance.  
- Suitable for battery-powered devices due to low threshold voltage.  

This information is based on ROHM's official documentation for the UMH4N MOSFET.

General purpose (dual digital transistors)