### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor  
- **Application:** High-frequency amplification, switching  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 50V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 50V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V  
- **Collector Current (IC):** 100mA  
- **Total Power Dissipation (PT):** 200mW  
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C  
- **Transition Frequency (fT):** 1GHz (min)  
- **Noise Figure (NF):** 3dB (typ) @ 1GHz  
- **Package:** SOT-323 (SC-70)  

### **Descriptions:**  
The UMH1N is a high-frequency NPN transistor designed for amplification and switching applications. It features low noise and high transition frequency, making it suitable for RF and microwave circuits.  

### **Features:**  
- High transition frequency (fT ≥ 1GHz)  
- Low noise figure (3dB typ @ 1GHz)  
- Small SOT-323 package for space-saving designs  
- Suitable for high-frequency amplification and switching circuits

### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package:** SOT-23  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO):** -50V  
- **Collector-Base Voltage (V_CBO):** -50V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO):** -5V  
- **Collector Current (I_C):** -100mA  
- **Power Dissipation (P_D):** 225mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 100-400 (at I_C = -2mA, V_CE = -1V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 250MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The **UMH1N** is a high-voltage NPN transistor in a small SOT-23 package.  
- It is designed for switching and amplification applications.  
- Suitable for use in portable and space-constrained designs.  

### **Features:**  
- High voltage capability  
- Small SOT-23 package for space-saving designs  
- Low saturation voltage  
- High current gain  
- RoHS compliant  

This information is based on DIODES' datasheet for the **UMH1N** transistor.