NPN Multi-Chip Built-in Resistors Transistor The part **UMH15N** is manufactured by **DIODES**. Below are its specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO):** 50V  
- **Collector-Base Voltage (V_CBO):** 60V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO):** 5V  
- **Collector Current (I_C):** 500mA  
- **Power Dissipation (P_D):** 625mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 100-300 @ 150mA, 5V  
- **Transition Frequency (f_T):** 250MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The **UMH15N** is a high-speed switching NPN transistor designed for general-purpose amplification and switching applications. It is housed in a **SOT-363 (SC-88)** package, making it suitable for compact designs.

### **Features:**  
- High current gain bandwidth product  
- Low saturation voltage  
- High-speed switching performance  
- Small footprint SOT-363 package  
- Suitable for portable and space-constrained applications  

For detailed electrical characteristics and application notes, refer to the official DIODES datasheet.