Dual NPNPNP Digital Transistors (Built-in Resistors) The part **UMH13N** is manufactured by **ROHM**. Below are the specifications, descriptions, and features based on the available knowledge:  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Drain Current (I_D):** 13A (continuous)  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 25mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V (min) - 2.5V (max)  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions & Features:**  
- **Low On-Resistance:** Ensures efficient power handling with minimal losses.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Specified:** Enhances reliability in rugged conditions.  
- **Logic Level Drive:** Can be driven by low-voltage control signals.  
- **Applications:** Power management, DC-DC converters, motor control, and load switching.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet for **UMH13N** by **ROHM**.

Dual NPNPNP Digital Transistors (Built-in Resistors) The part **UMH13N** is manufactured by **DIODES**.  

### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package:** SOT-23  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO):** 50V  
- **Collector-Base Voltage (V_CBO):** 50V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO):** 5V  
- **Collector Current (I_C):** 500mA  
- **Power Dissipation (P_D):** 350mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 100 (min) @ 10mA  
- **Transition Frequency (f_T):** 250MHz  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- High current gain and low saturation voltage.  
- Suitable for surface-mount applications due to SOT-23 packaging.  
- RoHS compliant and lead-free.  

For detailed electrical characteristics, refer to the official datasheet from DIODES.