General purpose transistors (du al transistors) The part **UMH11N** is manufactured by **ROHM**. Below are the specifications, descriptions, and features based on available data:  

### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Transistor  
- **Package:** TO-92 (Through-hole)  
- **Maximum Collector-Base Voltage (V_CB):** 50V  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 50V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EB):** 5V  
- **Maximum Collector Current (I_C):** 500mA  
- **Power Dissipation (P_D):** 500mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 70 ~ 240 (depending on conditions)  
- **Transition Frequency (f_T):** 250MHz (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The **UMH11N** is a general-purpose NPN bipolar junction transistor (BJT) designed for amplification and switching applications. It is housed in a **TO-92** package, making it suitable for through-hole PCB mounting.  

### **Features:**  
- **High current gain (h_FE)** for efficient signal amplification.  
- **Low saturation voltage**, improving switching performance.  
- **High transition frequency (f_T)**, making it suitable for RF and high-frequency applications.  
- **Wide operating temperature range**, ensuring reliability in various environments.  

For exact performance characteristics, refer to the official **ROHM datasheet** for the **UMH11N**.

General purpose transistors (du al transistors) The part **UMH11N** is manufactured by **ROHM**. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Transistor  
- **Maximum Collector-Base Voltage (V_CB):** 50V  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 50V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EB):** 5V  
- **Maximum Collector Current (I_C):** 500mA  
- **Power Dissipation (P_D):** 500mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 100 to 400  
- **Transition Frequency (f_T):** 200MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package Type:** SOT-23  

### **Description:**  
The **UMH11N** is a high-frequency NPN transistor designed for amplification and switching applications. It is suitable for use in RF circuits, general-purpose amplification, and low-power switching due to its high transition frequency and moderate current handling capability.  

### **Features:**  
- **High Transition Frequency (200MHz)** for RF applications  
- **Low Saturation Voltage** for efficient switching  
- **Compact SOT-23 Package** for space-constrained designs  
- **Wide Operating Temperature Range** (-55°C to +150°C)  
- **High DC Current Gain (h_FE 100–400)** for amplification purposes  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.