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UMH10N from ROHM

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UMH10N

Manufacturer: ROHM

General purpose transistors (dual transistors)

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
UMH10N ROHM 12000 In Stock

Description and Introduction

General purpose transistors (dual transistors) **Manufacturer:** ROHM  

**Part Number:** UMH10N  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** 100V  
- **Drain Current (ID):** 10A  
- **Power Dissipation (PD):** 30W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.15Ω (max) @ VGS = 10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 1.0V (min), 2.5V (max)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 300pF (typ)  
- **Output Capacitance (Coss):** 60pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 20pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 30ns (typ)  
- **Rise Time (tr):** 20ns (typ)  
- **Fall Time (tf):** 15ns (typ)  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions:**  
The UMH10N is an N-channel MOSFET designed for high-speed switching applications. It features low on-resistance and high power efficiency, making it suitable for power management circuits, DC-DC converters, and motor control applications.  

### **Features:**  
- Low on-resistance for reduced conduction losses  
- Fast switching speed for improved efficiency  
- High voltage capability for robust performance  
- Compact TO-252 package for space-saving designs  
- Suitable for power supply and motor drive applications

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
UMH10N ROHM 171000 In Stock

Description and Introduction

General purpose transistors (dual transistors) The part UMH10N is manufactured by ROHM Semiconductor. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Part Number:** UMH10N  
- **Manufacturer:** ROHM Semiconductor  
- **Type:** N-channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 10A  
- **Power Dissipation (PD):** 30W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.1Ω (max) @ VGS = 10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 2.0V (min) - 4.0V (max)  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions and Features:**
- **Description:** The UMH10N is an N-channel power MOSFET designed for high-efficiency switching applications.  
- **Features:**  
  - Low on-resistance for reduced power loss  
  - Fast switching speed  
  - High voltage capability (100V)  
  - Suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and other high-current applications  
  - Lead-free and RoHS compliant  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

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