EMG9 / UMG9N / FMG9A NPN 100mA 50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) The UMG9N TR is a semiconductor component manufactured by ROHM. Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** ROHM  
- **Part Number:** UMG9N TR  
- **Type:** N-channel MOSFET  
- **Package:** SOP-8  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Drain Current (I_D):** 9A (continuous)  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 10mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V (min) - 2.5V (max)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions and Features:**
- **Low On-Resistance:** Ensures high efficiency in power switching applications.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency operations.  
- **Compact SOP-8 Package:** Space-saving design for PCB integration.  
- **AEC-Q101 Qualified:** Meets automotive reliability standards.  
- **Applications:** Used in power management, DC-DC converters, motor control, and load switching circuits.  

This information is based solely on the available specifications and features provided by ROHM for the UMG9N TR MOSFET.

EMG9 / UMG9N / FMG9A NPN 100mA 50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)