Emitter common (dual digital transistors) The UMG8N is a semiconductor device manufactured by ROHM. Below are the factual specifications, descriptions, and features based on available knowledge:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** ROHM Semiconductor  
- **Part Number:** UMG8N  
- **Type:** NPN Transistor (Bipolar Junction Transistor - BJT)  
- **Package:** TO-92 (Through-hole package)  
- **Maximum Collector-Base Voltage (V_CB):** 50V  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 50V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EB):** 5V  
- **Collector Current (I_C):** 500mA (max)  
- **Power Dissipation (P_D):** 500mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 100 to 400 (at V_CE = 6V, I_C = 100mA)  
- **Transition Frequency (f_T):** 200MHz (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**
- The UMG8N is a general-purpose NPN transistor designed for amplification and switching applications.  
- It is housed in a TO-92 package, making it suitable for through-hole PCB mounting.  
- The device is commonly used in low-power circuits, signal amplification, and driver stages.  

### **Features:**
- **High Current Gain (h_FE):** Provides good amplification characteristics.  
- **Low Saturation Voltage:** Efficient for switching applications.  
- **Wide Operating Temperature Range:** Suitable for various environments.  
- **Compact TO-92 Package:** Easy to integrate into circuits.  

For exact performance characteristics, always refer to the official ROHM datasheet.

Emitter common (dual digital transistors) The part UMG8N is manufactured by DIODES Incorporated. Below are the specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Enhancement Mode MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 8A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 32A  
- **Power Dissipation (P_D):** 40W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(ON)):** 0.035Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V (min), 2.5V (max)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 13nC (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The UMG8N is an N-Channel MOSFET designed for high-efficiency power switching applications. It features low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and power management circuits.  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(ON))  
- Fast switching speed  
- Low gate charge  
- High current handling capability  
- Enhanced thermal performance  
- RoHS compliant  

For detailed electrical characteristics and application notes, refer to the official datasheet from DIODES Incorporated.