DUAL NPN PRE-BIASED TRANSISTOR The part **UMG4N-7** is manufactured by **DIODES**. Below are the specifications, descriptions, and features based on available information:

### **Specifications:**  
- **Type:** Dual Common Cathode Schottky Barrier Diode  
- **Package:** UMD-4 (SOD-323FL)  
- **Maximum Average Forward Current (IF(AV)):** 1A  
- **Peak Forward Surge Current (IFSM):** 30A  
- **Reverse Voltage (VR):** 40V  
- **Forward Voltage Drop (VF):** 0.5V (typical) at 1A  
- **Reverse Leakage Current (IR):** 100µA (max) at 40V  
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -55°C to +125°C  

### **Descriptions:**  
- The **UMG4N-7** is a dual Schottky barrier diode with a common cathode configuration.  
- It is designed for high-efficiency rectification in low-voltage, high-frequency applications.  
- The SOD-323FL package is compact and suitable for space-constrained PCB designs.  

### **Features:**  
- **Low forward voltage drop** for reduced power loss.  
- **High current capability** in a small package.  
- **Fast switching** for high-frequency applications.  
- **Common cathode configuration** simplifies circuit design.  
- **Pb-free and RoHS compliant**.  

For exact performance characteristics, refer to the official datasheet from DIODES.