NPN 100mA 50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) The part **UMG2NTR** is manufactured by **ROHM**. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Voltage (Drain-Source, VDS):** 60V  
- **Current (Drain, ID):** 2A  
- **Power Dissipation (PD):** 1.5W  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 1.2Ω (max) @ VGS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Package:** SOT-23  

### **Descriptions:**  
- A compact, high-efficiency N-channel MOSFET designed for switching applications.  
- Suitable for low-voltage, low-current circuits.  

### **Features:**  
- Low on-resistance for reduced power loss.  
- Fast switching performance.  
- Compact SOT-23 package for space-saving designs.  
- Suitable for portable and battery-operated devices.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.