NPN 100mA 50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) The part UMG2N is manufactured by ROHM Semiconductor. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Drain Current (I_D):** 2A  
- **Power Dissipation (P_D):** 1.5W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.5Ω (max) @ V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V (min) - 2.5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 50pF (typ)  
- **Package:** SOT-23  

### **Descriptions:**  
- The UMG2N is a small-signal N-channel MOSFET designed for low-voltage, high-speed switching applications.  
- It is suitable for power management in portable devices, load switching, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- Low on-resistance for improved efficiency.  
- Compact SOT-23 package for space-saving designs.  
- Fast switching performance.  
- Low threshold voltage for compatibility with logic-level signals.  

For further details, refer to the official ROHM datasheet.