NPN 100mA 50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) Here are the factual details about part **UMG2 N TR** from the manufacturer **ROHM**:

### **Specifications:**
- **Part Number:** UMG2 N TR  
- **Manufacturer:** ROHM  
- **Type:** NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor  
- **Package:** SOT-323 (SC-70)  
- **Polarity:** NPN  
- **Maximum Ratings:**  
  - **Collector-Base Voltage (VCBO):** 50V  
  - **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 50V  
  - **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V  
  - **Collector Current (IC):** 100mA  
  - **Total Power Dissipation (PT):** 150mW  
- **Electrical Characteristics:**  
  - **DC Current Gain (hFE):** 120 to 400 (at VCE = 6V, IC = 2mA)  
  - **Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)):** 0.1V (max) (at IC = 10mA, IB = 1mA)  
  - **Transition Frequency (fT):** 250MHz (min)  

### **Descriptions and Features:**
- Designed for high-speed switching and amplification applications.  
- Low saturation voltage ensures efficient performance in switching circuits.  
- Compact SOT-323 package suitable for space-constrained designs.  
- High current gain (hFE) for improved signal amplification.  
- Suitable for use in portable electronics, audio amplifiers, and signal processing circuits.  

This information is based on ROHM's official datasheet for **UMG2 N TR**.